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在受到可見光照射后即產生光電效應,將光信號轉換成電信號輸出。
它除能測量光強之外,還能利用光線的透射、遮擋、反射、干涉等測量多種物理量,
如尺寸、位移、速度、溫度等,因而是一種應用極廣泛的重要敏感器件。
。傳感器的結構簡單,形式靈活多樣,體積小。近年來,隨著光電技術的發展,光電式傳感器已成為系列產品其品種及產量日益增加。
用戶可根據需要選用各種規格的產品它在機電控制、計算機、國防科技等方面。
它是光照射到某些物質上,使該物質的導電特性發生變化的一種物理現象,可分為外光電效應和內光電效應和光生伏應三類。
外光電效應是指,在光線作用下物體內的電子逸出物體表面向外發射的物理現象。
光子是以量子化“粒子”的形式對可見光波段內電磁波的描述。
光子具有能量hv,h為普朗克常數,v為光頻。光子通量則相應于光強。外光電效應由愛因斯坦光電效應方程描述:
Ek =hν -W
其中,h表示普朗克常量,ν表示入射光的頻率)。當光子能量等于或大于逸出功時才能產生外光電效應。
因此每一種物體都有一個對應于光電效應的光頻閾值,稱為紅限頻率。
對于紅限頻率以上的入射光,外生光電流與光強成正比。
光電傳感器和系統使用可見紅光或紅外光檢測不同類型的物體,
無需接觸物體,也不受物體材質、質量和一致性的約束。
無論是標準型號還是可編程多功能型號、緊湊型設備還是連有外部放大器等外設的設備,
每個傳感器都有專門針對不同應用而設計的特殊功能 -
我們都會為您提供種類齊全的光電傳感器解決方案。
能量對應于禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產生一定方向電動勢的現象。
光生伏打效應又可分為勢壘效應(結光電效應)和側向光電效應。
勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(或在PN結)中,電子受光子的激發脫離勢壘(或禁帶)的束縛而產生電子空穴對,
在阻擋層內電場的作用下電子移向 N區外側,空穴移向 P區外側,形成光生電動勢。
側向光電效應是當光電器件敏感面受光照不均勻時,受光激發而產生的電子空穴對的濃度也不均勻,
電子向未被照射部分擴散,引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現象。
光子,光子能量;光電子外光電效應是指在光線作用下,物體內的電子逸出物體表面向外發射的現象。
鍵盤鎖
開關延遲,可調8…16ms
工作電壓:12…250 VDC 或 24…250 VAC
繼電器輸出
光電式傳感器photoelectric transducer,基于光電效應的傳感器,
內光電效應又分為光電導效應和光生伏應兩類。光電導效應是指,
半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不于禁帶寬度的光子的激發而躍遷到導帶,從而增加電導率的現象。
光電測量時不與被測對象直接接觸,光束的質量又近似為零,
在測量中不存在摩擦和對被測對象幾乎不施加壓力。
因此在許多應用場合,光電式傳感器比其他傳感器有明顯的優越性。
其缺點是在某些應用方面,光學器件和電子器件較貴,并且對測量的環境條件要求較高。
光電式傳感器是將光通量轉換為電量的一種傳感器,光電式傳感器的基礎是光電轉換元件的光電效應。
激光傳感器,直反式,可調區域背景抑制
訂貨號: 7700499
1/2”, 4針針頭可旋轉 90°
由于光電測量方法靈活多樣,可測參數眾多,具有非接觸,,
高性和反應快等特點,使得光電傳感器在檢測和控制領域獲得了廣泛的應用。
光電式傳感器有光電管、光電倍增管、光敏電阻、光電二極管和光電三極管、
光電池、半導體色敏傳感器、光電閘流晶體管、熱釋電傳感器、光電耦合器件等光電元件。
另外,光電式傳感器還可分為模擬式光電式傳感器和脈沖式光電式傳感器兩類。
光電檢測方法具有精度高、反應快、非接觸等而且可測參數多
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